1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 47А; Idm: 189А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 47А; Idm: 189А
Немає в наявності
Код товару: SQS180ELNW-T1_GE3
26,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS180ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 7,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 119Вт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 189А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 16бит; Uробоча: 4,5÷5,5В; SSOP24; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 16бит; Uробоча: 4,5÷5,5В; SSOP24; туба

117,21 грн

Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
serial
Кількість каналів:
2
Корпус:
SSOP24
Недоступний
Резистор: thin film; 73,2Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 73,2Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: 7/8"; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 820; 300В; IP68
Роз’єм: 7/8"; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 820; 300В; IP68

919,92 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
проводи
Кількість пін:
4
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 57,1÷62,3В; 36,4А; двоспрямована; SMC; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 57,1÷62,3В; 36,4А; двоспрямована; SMC; SMDJ

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
820пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 12,1кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 12,1кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 5x2,5мм2; тросик; Cu; PO; чорний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 5x2,5мм2; тросик; Cu; PO; чорний

780,54 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD