Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 60А; 104Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR826DP-T1-RE3
72,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR826DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 80В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА

266,09 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Зовнішні розміри:
11,53x6,1x10мм
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 66; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 66; THT; 3A; vertical; 2.54mm

300,30 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
66
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 33мкФ; SMD; 10ВDC; A; 1206; ±20%
Конденсатор: танталово-полімерний; 33мкФ; SMD; 10ВDC; A; 1206; ±20%

16,16 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
A
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 5,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 36В; SMD; DO213AA; 10нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 36В; SMD; DO213AA; 10нА; ролик,cтрічка

1071,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
36В
Корпус:
DO213AA
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6