Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 60А; 135Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ186EP-T1_GE3
24,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 135Вт
Струм стока: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: FFC/FPC; data; gold-plated; SMT; 500mA; 50V; PIN: 40
Connector: FFC/FPC; data; gold-plated; SMT; 500mA; 50V; PIN: 40

144,45 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
40
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,2пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм

856,56 грн

Висота:
90мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

136,85 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT

11,59 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252