Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 62,7А; Idm: 200А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 62,7А; Idm: 200А
Brand: VISHAY
SKU: SIR586DP-T1-RE3
Price: 34.85 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIR586DP-T1-RE3

34,85 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 6000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIR586DP-T1-RE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

19,1нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

5,3мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

71,4Вт

Струм стока:

62,7А

Струм стоку в імпульсі:

200А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC89

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
H2PAK-2

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24,1нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
VSONP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD