Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 62,7А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SIR586DP-T1-BE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR586DP-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19,1нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 5,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 71,4Вт
Струм стока: 62,7А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 3А; Полюси: 1; на шину DIN; mcb489
Вимикач максимального струму; 3А; Полюси: 1; на шину DIN; mcb489

748,86 грн

Кількість полюсів:
1
Монтаж:
на шину DIN
Номінальний струм:
3А
Робоча температура:
-35...70°C
Недоступний
Резистор: thin film; 243кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 243кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 3A/250ВAC; 3A/30ВDC; ON-(ON)
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 3A/250ВAC; 3A/30ВDC; ON-(ON)

589,84 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Вид матеріалу:
зміцнений скловолокном
Відповідність стандарту:
UL
Електрична стійкість:
50000 цикли
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500Вт; Uвх: 32÷96ВDC; Uвих: 11,7ВDC; гвинтовий
Перетворювач: DC/DC; 500Вт; Uвх: 32÷96ВDC; Uвих: 11,7ВDC; гвинтовий

16874,70 грн

Вихідна напруга:
11,7В DC
Вихідний струм:
42,5А
Вхідна напруга:
32...96В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Резистор: thin film; 267кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 267кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Насадка: 6-гранна; HEX 19мм; 3/8"; Довж.насадки: 35мм
Насадка: 6-гранна; HEX 19мм; 3/8"; Довж.насадки: 35мм

295,24 грн

Відповідність стандарту:
DIN 3124; ISO2725-1
Довжина насадки:
35мм
Розмір гнізда:
HEX 19мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/8"
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 52; THT; angled; 2x26
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 52; THT; angled; 2x26

129,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD