Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 150А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SUM70030M-GE3
129,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM70030M-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 214нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 150А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V

20,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-412; steel; 0.6N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-412; steel; 0.6N; push-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
9,8мм
Висота одвороту:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 0,4А; R: 1769мОм; ±30%; вертикальне; 250ВAC
Реактор: дротяний; THT; 0,4А; R: 1769мОм; ±30%; вертикальне; 250ВAC

266,73 грн

Вид дроселя:
common mode; з компенсацією; кільцевий
Вимір D:
12,8мм
Допуск:
±30%
Застосування реакторів:
мережеві фільтри
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 180мм

0,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 114; THT; angled
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 114; THT; angled

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73G-RT; 50В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73G-RT; 50В

1,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 2,5мм2; ПВХ; темносиній; 450В,750В
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 2,5мм2; ПВХ; темносиній; 450В,750В

75,39 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H07V2-K
Зовнішній діаметр проводу:
4,1мм
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В