Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 50А; Idm: 120А

Немає в наявності
Код товару: SUP70090E-GE3
123,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: SUP70090E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 250V

69,69 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Кристал; 32,768кГц; SMD; 8,7x3,7x2,5мм; 12,5пФ; ±20ppm; -40÷85°C
Кристал; 32,768кГц; SMD; 8,7x3,7x2,5мм; 12,5пФ; ±20ppm; -40÷85°C

16,35 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
12,5пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Резистор: thin film; 402Ом; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 402Ом; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 1,6x0,8x0,45мм

1,28 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
402Ом
Недоступний
Діод: CRD; одиночний діод; DO213AB,MELF glass; 0,5Вт; 6÷100В
Діод: CRD; одиночний діод; DO213AB,MELF glass; 0,5Вт; 6÷100В

252,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V

214,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 3A; 250V

154,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
5,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,43кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,43кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP