Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 67,5А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SIR882BDP-T1-RE3
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR882BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 81нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83,3Вт
Струм стока: 67,5А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 105Ом; SMD; 2512; 3,5Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 105Ом; SMD; 2512; 3,5Вт; ±1%; -55÷155°C

11,91 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 32,768кГц; SMD; 3,2x1,5x0,75мм; 12,5пФ; ±10ppm; -40÷85°C
Кристал; 32,768кГц; SMD; 3,2x1,5x0,75мм; 12,5пФ; ±10ppm; -40÷85°C

23,00 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
12,5пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Сигналізатор: світлозвуковий; 10÷60ВDC; LED; червоний; IP66; 120дБ
Сигналізатор: світлозвуковий; 10÷60ВDC; LED; червоний; IP66; 120дБ

14222,65 грн

Джерело світла:
LED
Зовнішні розміри:
166,3x213,5x149,5мм
Кількість тонів:
64
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Резистор: thick film; 499кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 499кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 20МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 20МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷125°C

0,37 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Ламінат; FR4,скловолокно,епоксидна смола; 1,5мм; L: 233мм
Ламінат; FR4,скловолокно,епоксидна смола; 1,5мм; L: 233мм

0,00 грн

Вид покриття плати:
мідь; світлочутливий шар
Довжина:
233мм
Матеріал:
FR4; епоксидна смола; скловолокно
Модель плати:
двостороння
Недоступний
Захисна трубка; оцинкована сталь; SILVYN® EDU-AS; Øвнутр: 49мм
Захисна трубка; оцинкована сталь; SILVYN® EDU-AS; Øвнутр: 49мм

3113,92 грн

Діаметр внутрішній:
49мм
Діаметр зовнішній:
56мм
Клас герметичності:
IP40
Матеріал:
оцинкована сталь
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK