1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 1,2А; Idm: 6А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 1,2А; Idm: 6А
Немає в наявності
Код товару: SI3440DV-T1-E3
19,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3440DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,14Вт
Струм стока: 1,2А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,4%; TO92; 100мА
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,4%; TO92; 100мА

22,81 грн

Допуск:
±0,4%
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга еталонна:
2,495В
Недоступний
Резистор: thick film; 270мОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270мОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 22,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 22,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Насадка: 6-гранна; до кіл,ударний; хром-молібденова сталь; 1/2"
Насадка: 6-гранна; до кіл,ударний; хром-молібденова сталь; 1/2"

497,34 грн

Вид ключа:
до кіл; ударний
Вид рукоятки:
квадрат
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Розмір гнізда:
HEX 21мм
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x25,4мм; осьовий; 24ВDC; 78м3/г; 3600обр./хв.
Вентилятор: DC; 80x80x25,4мм; осьовий; 24ВDC; 78м3/г; 3600обр./хв.

2151,55 грн

Engineering PN:
9292506635
Вид вентилятора:
осьовий
Клас герметичності:
IP68
Матеріал корпусу:
пластик
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; SMT; straight

15,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK