Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 2,8А; Idm: 50А

Немає в наявності
Код товару: SI4488DY-T1-GE3
172,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4488DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 2,8А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 169Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 169Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; 100ppm/°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
169Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 13÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 0÷1000мА; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 13÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 0÷1000мА; THT

136,21 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0...1А
Вхідна напруга:
13...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0,33мм
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0,33мм

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; low ESR; 220мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 220мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%

257,86 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±10%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
OMNIMATE; 16А; 320В; кутовий; на корпус; THT; Контакти: сплав міді
OMNIMATE; 16А; 320В; кутовий; на корпус; THT; Контакти: сплав міді

46,25 грн

Alias:
LSF-SMT 3.81/04/90 3.5SN BK TU
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252AA
Монтаж:
SMD