Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 56,7А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIDR622DP-T1-RE3
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR622DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 20,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 56,7А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 9мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; PE; -55÷170°C
Резистор: thick film; 9мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; PE; -55÷170°C

6,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 4,64кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 4,64кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

168,53 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Зовнішні розміри:
11,5x6x10мм
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

115,94 грн

Alias:
SL-SMT 5.08HC/04/270FH 3.2SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,27кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,27кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,3пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 4,87кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 4,87кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK