Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 74А; 125Вт

Немає в наявності
Код товару: SUP80090E-GE3
174,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUP80090E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 9,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 74А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 523кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 523кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; SMD; DO213AB,MELF glass; 1мкА
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; SMD; DO213AB,MELF glass; 1мкА

219,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
120В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Резистор: thick film; 715кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 715кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; HV; 500В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 6,3x3,2x0,6мм
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 6,3x3,2x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,5В; 50мА; SOT23
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,5В; 50мА; SOT23

0,00 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
50мА
Недоступний
Резистор: thick film; 12,7кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,7кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс

696,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
275нКл
Корпус:
PLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC

713,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
362нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 38А; 277Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 38А; 277Вт; TO247-3

387,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 4А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 4А; 80Вт; TO220AB

135,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 100А; 48Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 100А; 48Вт; TO247-3

700,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
122нКл
Корпус:
TO247-3