Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR410DP-T1-GE3
35,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR410DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 6,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3В; 0,15А; SOT23-5
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3В; 0,15А; SOT23-5

36,62 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 33; THT; 1.5A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 33; THT; 1.5A; 125V

449,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8,5мм
Довжина відводів:
3мм
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 22
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 22

38,65 грн

Вид матеріалу:
негалогенний
Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
30мм
Номінальна напруга:
60В
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А

17,23 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
2
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 22нГн; 780мА; R: 0,202Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 22нГн; 780мА; R: 0,202Ом; ±5%; LQW

2,77 грн

Високосортність:
30
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
22нГн
Недоступний
Резистор: metal film; 158мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 158мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,55 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл