Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 8А; Idm: 20А; 3,6Вт

Немає в наявності
Код товару: SI3464DV-T1-GE3
12,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3464DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,6Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,25Вт; 3,9В; SMD; SOD923; одиночний діод; NZ9F
Діод: зенера; 0,25Вт; 3,9В; SMD; SOD923; одиночний діод; NZ9F

10,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
SOD923
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; MP22; 5A/250ВAC; IP65
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; MP22; 5A/250ВAC; IP65

1500,89 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,2В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,2В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

3887,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
6,2В
Корпус:
DO35
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; 0201; 180мм

1,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,8пФ
Реактор: дротяний; THT; L: 7мГн; 800мА; Інд.один.обм: 7мГн; H: 21,6мм
Реактор: дротяний; THT; L: 7мГн; 800мА; Інд.один.обм: 7мГн; H: 21,6мм

62,09 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
21,6мм
Індуктивність:
7мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
7мГн
Введення; Øмонт.отв: 7,9мм; Øотв: 4,7мм; чорний; UL94V-2; 22MP03123
Введення; Øмонт.отв: 7,9мм; Øотв: 4,7мм; чорний; UL94V-2; 22MP03123

3,39 грн

Engineering PN:
22MP03123
Висота:
7,9мм
Діаметр зовнішній:
9,5мм
Діаметр монтажного отвору:
7,9мм
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В