Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SISS28DN-T1-GE3
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS28DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 2,24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,09кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,09кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
3,09кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 165мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 165мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0201; 1Вт; ±1%; ERJ1TNF; 200В
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0201; 1Вт; ±1%; ERJ1TNF; 200В

9,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 8,5А; ±10%; Ø11,5x17,5мм; Вив: 2pin
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 8,5А; ±10%; Ø11,5x17,5мм; Вив: 2pin

48,78 грн

Виводи:
2pin
Висота:
17,5мм
Діаметр:
11,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,09кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
9,09кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK