Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 14,2А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SISH112DN-T1-GE3
98,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH112DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 14,2А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

281,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,1мм
Недоступний
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; TTL; SMD; SOIC14; ACT; 4,5÷5,5ВDC
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; TTL; SMD; SOIC14; ACT; 4,5÷5,5ВDC

8,81 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
4
Корпус:
SOIC14
Недоступний
Модуль автоматики: світло сигналізатор; безбарвний; 115ВAC; IP54
Модуль автоматики: світло сигналізатор; безбарвний; 115ВAC; IP54

6507,23 грн

Використання:
колона сигналізації
Зовнішні розміри:
Ø52x67мм
Клас герметичності:
IP54
Колір:
безбарвний
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C

5,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Вентилятор: EC; осьовий; 230ВAC; Ø565x210,1мм; 5195м3/г; кульковий
Вентилятор: EC; осьовий; 230ВAC; Ø565x210,1мм; 5195м3/г; кульковий

0,00 грн

Виводи:
затискна планка
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD