Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 17,8А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SI7112DN-T1-GE3
24,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7112DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Струм стока: 17,8А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 40x16AWG; екранований,плівка AL-PET; ПВХ
Провід; Xtra Guard® 1; 40x16AWG; екранований,плівка AL-PET; ПВХ

2234925,45 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA FT4; UL 1569; UL 2464; UL 21894; VW-1
Недоступний
Резистор: thin film; 4,53кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 4,53кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 2mm; series 31; steel; 1.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 2mm; series 31; steel; 1.5N; 20mΩ

100,74 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2мм
Довжина:
35,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 432кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 432кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
432кОм
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 1812; 10мкГн; 320мА; R: 980мОм; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1812; 10мкГн; 320мА; R: 980мОм; ±10%

19,77 грн

Високосортність:
40
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Індуктивність:
10мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73G; 75В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73G; 75В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1А; DIP6
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1А; DIP6

1680,82 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
50,8x25,4x10,2мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл