Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 25А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4368DY-T1-E3
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4368DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 12бит; 3,4Мsps; Ch: 1; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц
IC: перетворювач D/A; 12бит; 3,4Мsps; Ch: 1; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц

86,16 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR
Недоступний
Резистор: thick film; 100мОм; THT; TO220; 50Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100мОм; THT; TO220; 50Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

679,80 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Провід; FLRY-B; 1x0,5мм2; тросик; Cu; ПВХ; біло-зелений; 60В; Клас: 5
Провід; FLRY-B; 1x0,5мм2; тросик; Cu; ПВХ; біло-зелений; 60В; Клас: 5

50,05 грн

Iнформація:
Кабелі можуть поставлятися кількома секціями. Мінімальна довжина секції та кратність: 1м
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
FLRY-B
Недоступний
Резистор: thick film; 1,13кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 1,13кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 8; CMOS; SMD; DHVQFN14; 2÷5,5ВDC; 40мкА
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 8; CMOS; SMD; DHVQFN14; 2÷5,5ВDC; 40мкА

0,00 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
DHVQFN14
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Наконечник: кільцевий; M4; 2,5÷6мм2; затискання; для проводу
Наконечник: кільцевий; M4; 2,5÷6мм2; затискання; для проводу

15,65 грн

Версія наконечника:
неізольований
Внутрішній діаметр кільця:
4,3мм
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
сплав міді
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD