1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 250А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 250А
Немає в наявності
Код товару: SIRA36DP-T1-GE3
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRA36DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 28,5Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,5пФ
Корпус - дюйм:
0603
Блок живлення: імпульсний; LED; 250Вт; 24,2ВDC; 198÷264ВAC; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; 250Вт; 24,2ВDC; 198÷264ВAC; IP67

4045,87 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24,2В DC
Електричне під'єднування:
проводи
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 200мВт; ±0,5%; ERJPA2D
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 200мВт; ±0,5%; ERJPA2D

1,63 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,3А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,3А

41,18 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
3В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

61,45 грн

Зворотна напруга макс.:
75В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8