Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 120А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SUP40010EL-GE3
204,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUP40010EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 230нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В; -55÷155°C

3,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 560мкГн; 70мА; R: 14,5Ом; ±5%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 560мкГн; 70мА; R: 14,5Ом; ±5%; LQH

7,29 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,56мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Резистор: thick film; 2,67МОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 2,67МОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Кабель; H03VVH2-F; 2x0,75мм2; ПВХ; 2м; чорний; 2,5А; 250В; Sonos
Кабель; H03VVH2-F; 2x0,75мм2; ПВХ; 2м; чорний; 2,5А; 250В; Sonos

324,38 грн

Вид кабелю:
H03VVH2-F
Вид проводу:
H03VVH2-F
Використання:
динаміка
Довжина кабелю:
2м
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V

178,03 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,37 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
6,2мОм
Резисторна зборка: X; 10кОм; ±2%; Кіл-ть резисторів: 4; 0,2Вт; THT
Резисторна зборка: X; 10кОм; ±2%; Кіл-ть резисторів: 4; 0,2Вт; THT

13,30 грн

Властивості резисторів:
один pin резисторів на загальному виводі
Допуск:
±2%
Кількість резисторів:
4
Корпус:
SIP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл