1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А
Немає в наявності
Код товару: SIJA54DP-T1-GE3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIJA54DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 104нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36,7Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
LED; у корпусі; червоний; К-ть діодів: 2; 2,8мм; 20мА; 60°; 15÷30мкд
LED; у корпусі; червоний; К-ть діодів: 2; 2,8мм; 20мА; 60°; 15÷30мкд

82,36 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
2,8мм
Довжина хвилі λd:
625нм
Кількість діодів:
2
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 1360мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C
Світловий бар'єр безпеки; H: 1360мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C

91488,96 грн

Висота:
1360мм
Властивості датчиків:
захист тіла
Дальність:
18м
Напруга живлення:
24В DC
Резистор: thick film; 330Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 330Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 114кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 114кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; 10А,30А,40А; PIN: 15; IP67
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; 10А,30А,40А; PIN: 15; IP67

182,46 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
15
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 493Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 493Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK