1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 110А; Idm: 300А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 110А; Idm: 300А
Немає в наявності
Код товару: SIR150DP-T1-RE3
27,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR150DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 45В
Опір в стані провідності: 3,97мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65,7Вт
Струм стока: 110А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 374Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 374Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 56Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 56Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В; 50ppm/°C

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 113кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В
Резистор: thin film; 113кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В

4,62 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; SMD; TQFP100; PIC24; лоток; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; SMD; TQFP100; PIC24; лоток; 8кБSRAM

378,23 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); Phase locked loop; PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; ECAN; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PWM; SMBus; SPI x2; UART x2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD