1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А
Немає в наявності
Код товару: SUM50020E-GE3
126,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM50020E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 128нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 250В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 250В

287,00 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
7,25мм
Довжина:
9,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Дискова щітка; 200мм; для зняття фарби,для видалення іржі; 32мм
Дискова щітка; 200мм; для зняття фарби,для видалення іржі; 32мм

597,44 грн

Вид рукоятки:
монтажний отвір
Використання інструментів:
для видалення іржі; для зняття фарби
Діаметр:
200мм
Матеріал:
сталь
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22МОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,22МОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
4,22МОм
Резистор: thin film; 3,09кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 3,09кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; 1x0,5x0,3мм

29,27 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Опір:
3,09кОм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.6mm; GKS-113; steel; 1.5N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.6mm; GKS-113; steel; 1.5N; push-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87МОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,87МОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,87мОм
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 94,4÷104В; 216А; односпрямована; SPD4; ролик
Діод: TVS; 30кВт; 94,4÷104В; 216А; односпрямована; SPD4; ролик

1195,52 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
SPD4
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD