Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 41,6А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIS862ADN-T1-GE3
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS862ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 41,6А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід: для живлення; ÖLFLEX® FD 90 CY; 1x185мм2; помаранчевий
Провід: для живлення; ÖLFLEX® FD 90 CY; 1x185мм2; помаранчевий

3958,44 грн

Bластивості проводів:
еластичний
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,15А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,15А

39,91 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 72,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 72,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 68; THT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 68; THT; 2.5A; 100V

968,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4мм
Довжина відводів:
3,3мм
IC: PMIC; SMD; -40÷105°C; SOP8; 100кГц; Топологія: buck; 8÷10,81В
IC: PMIC; SMD; -40÷105°C; SOP8; 100кГц; Топологія: buck; 8÷10,81В

98,83 грн

Вхідна напруга:
8...10,81В
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...105°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD