Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 116А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIR582DP-T1-RE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR582DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 3,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 92,5Вт
Струм стока: 116А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 68,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 68,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 6,3ВDC; Ø5x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 6,3ВDC; Ø5x5,4мм; ±20%

1,36 грн

Висота:
5,4мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1,5нФ
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; 3,5÷16ВDC; TSSOP14; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; 3,5÷16ВDC; TSSOP14; туба

71,59 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
-3,5...3,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD123; SMD; 40В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD123; SMD; 40В; 1А; ролик,cтрічка

24,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SOD123
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD