Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 137А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIDR680ADP-T1-RE3
90,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR680ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 3,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 137А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 180мм

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: metal film; 28,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 28,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

10,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 200мА

1535,10 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...4мм
Загальна довжина:
44мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thin film; 187Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 187Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H-RT; 150В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H-RT; 150В

1,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: metal film; 90,9кОм; SMD; 400мВт; ±1%; 200В; Ø1,4x3,6мм
Резистор: metal film; 90,9кОм; SMD; 400мВт; ±1%; 200В; Ø1,4x3,6мм

1,01 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø1,4x3,6мм
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD