Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 153А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIDR5802EP-T1-RE3
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR5802EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 153А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Contact; male; data transfer; gold-plated; 28AWG÷24AWG; crimped
Contact; male; data transfer; gold-plated; 28AWG÷24AWG; crimped

3,10 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Номінальний струм:
5А
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CQ; 150В

1,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 388кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 388кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 70В; 0,2А; 5нс; 200мВт
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 70В; 0,2А; 5нс; 200мВт

13,30 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Ємність:
1,5Ф
Зворотна напруга макс.:
70В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V

189,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,6мм
Недоступний
Роз’єм: Jack 6,3мм + XLR; гніздо; гніздовий; аудіо відео; кутовий
Роз’єм: Jack 6,3мм + XLR; гніздо; гніздовий; аудіо відео; кутовий

117,84 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Резистор: thin film; 10,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 10,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK