1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 50,3А; Idm: 120А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 50,3А; Idm: 120А
Немає в наявності
Код товару: SISS32ADN-T1-GE3
117,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS32ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 8,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 50,3А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А

55,75 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
12
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 1,21кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: metal film; 11,3кОм; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; L: 6,3мм
Резистор: metal film; 11,3кОм; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; L: 6,3мм

13,81 грн

Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Опір:
11,3кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0402; 180мм

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 105Ом; 1210; 500мВт; ±1%; RC; 3,1x2,6x0,55мм
Резистор: thick film; 105Ом; 1210; 500мВт; ±1%; RC; 3,1x2,6x0,55мм

0,00 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x2,6мм
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 619кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 619кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 8А; 160В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 8А; 160В

449,82 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
втискуваний
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK