Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO251S2

Немає в наявності
Код товару: WMH09N60C2
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMH09N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251S2
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 940мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 6А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 22мкГн; 610мА; ±20%; ферит; 3x1,2x3мм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 22мкГн; 610мА; ±20%; ферит; 3x1,2x3мм

7,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Недоступний
Резистор: thin film; 856Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 856Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402

1,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
10кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

15,90 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,1нФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

4,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB