Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMP14N65C2
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP14N65C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 405мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 11А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 35В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 35В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,12мГн; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,12мГн; 16А

2089,46 грн

Індуктивність:
1,12мГн
Максимальний струм:
16А
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 200мА; 0402L; 0402
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 200мА; 0402L; 0402

88,06 грн

Вимір D:
0,45мм
Імпульсний струм:
40А
Корпус - дюйм:
0402
Максимальна напруга:
6В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603

10,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Конденсатор: поліестровий; 220нФ; 630ВDC; 15мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 220нФ; 630ВDC; 15мм; ±10%; THT

17,49 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO220AB; 160нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO220AB; 160нс

522,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
linear power mosfet
Заряд затвора:
103нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 150А; 1300Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 150А; 1300Вт; TO264

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB

181,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс

171,06 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
312нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс

337,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
65нКл
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А

494,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
super junction coolmos
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт

390,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class