1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMK16N65C2
122,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK16N65C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,32Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 13А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Товщина радіатора: 1,2...1,45мм
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 37,4Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 37,4Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А

3449,70 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
2,5А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
40,6x50,8x10,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,44 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Амперметр; на панель; 40÷72Гц; Властивості: робоче положення 90°
Амперметр; на панель; 40÷72Гц; Властивості: робоче положення 90°

2055,25 грн

Вимір:
струму AC
Властивості вимірювальних приладів:
2 поради
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
97мм
Недоступний
Резистор: thick film; 180кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 180кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
180кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

261,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт

243,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
GC (TO247AD); TO247AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А

454,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
183нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

166,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247PLUS
Монтаж:
THT