Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 3А; 29Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO04N65C2
17,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO04N65C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 1,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: 3А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Запобіжник: плавка; 10,3x38мм; 12А; 500ВAC; aM
Запобіжник: плавка; 10,3x38мм; 12А; 500ВAC; aM

97,57 грн

Вид запобіжника:
керамічний; промисловий; циліндровий
Номінальна напруга:
500В AC
Номінальний струм:
12А
Розмір запобіжника:
10,3x38мм
Паяльник: нагрівний; Потужність: 80Вт; 230В
Паяльник: нагрівний; Потужність: 80Вт; 230В

817,28 грн

Напруга живлення паяльника:
230В
Потужність паяльника:
80Вт
Роз'єми для країни:
Європа
Розміри наконечника:
7мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V

412,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

3,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; IP67

1607,33 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...8мм
Загальна довжина:
81мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 5Ом; SMD; TO263; 25Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5Ом; SMD; TO263; 25Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

456,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,63 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,2Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD