1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMP09N65C2
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP09N65C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 940мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 6А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 29,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 29,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 17А; 190Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 17А; 190Вт; TO220-3

318,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
220пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

32,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC

278,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT