1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251S3

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251S3
Немає в наявності
Код товару: WMG09N70C2
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMG09N70C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251S3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 5,3А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Датчик: близкості; OUT: NC; IP67; 3А; макс.250ВAC; 100ВА; 12мм
Датчик: близкості; OUT: NC; IP67; 3А; макс.250ВAC; 100ВА; 12мм

3297,65 грн

Дальність:
12мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NC
Корпус датчика:
Ø13,5
Недоступний
Магніт: постійн; неодимовий; 340Н; Ø: 32мм; H: 40мм; сталь
Магніт: постійн; неодимовий; 340Н; Ø: 32мм; H: 40мм; сталь

1463,51 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
32мм
Довжина гвинта:
12мм
Зовнішня різьба:
M8
Недоступний
Резистор: thick film; 7,87Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,87Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
M12; PIN: 4; прямий,гніздовий; екранований,прямий; 1,5м; вилка
M12; PIN: 4; прямий,гніздовий; екранований,прямий; 1,5м; вилка

1355,81 грн

Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 10; ON-OFF; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 10; ON-OFF; 0,025A/24ВDC

236,95 грн

Властивості перемикачів:
повзунок плоский
Електрична стійкість:
1000 цикли
Загальна довжина:
26,96мм
Кількість всіх позицій:
2
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB