Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 7,5А; 57Вт; SOT223

Name: Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 7,5А; 57Вт; SOT223
Brand: WAYON
SKU: WMF10N70C2
Price: 38.01 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: WMF10N70C2

38,01 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

WMF10N70C2

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT223

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

700В

Опір в стані провідності:

940мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

57Вт

Струм стока:

7,5А

Технологія:

WMOS™ C2

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 66нс

442,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
185нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 108А; Idm: 432А; 69Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
32нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 72нс

390,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
151нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 80,6Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 225А; Idm: 900А; 365,8Вт; TOLL

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
144нКл

Корпус:
TOLL

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт; TO263

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
28,5нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
95нКл

Корпус:
TO252