1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А; 34Вт

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А; 34Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML36N60C4
214,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML36N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 97мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Для проводу; вилка; Покриття: позолочений; IDC; прямий; -40÷75°C
Для проводу; вилка; Покриття: позолочений; IDC; прямий; -40÷75°C

345,29 грн

Електричний монтаж:
IDC
Механічний монтаж:
для проводу
Покриття контакту:
позолочений
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 9,53Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,53Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1812

14,13 грн

Alias:
KGM43BR72A334JV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Радіатор: теплова труба; пласкі; натуральний; L: 70мм; мідь; сирий
Радіатор: теплова труба; пласкі; натуральний; L: 70мм; мідь; сирий

586,04 грн

Довжина:
70мм
Ефективна довжина:
52,5мм
Колір:
натуральний
Матеріал:
мідь
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39Ом; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл