Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ53N60C4
427,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 350Вт
Струм стока: 26А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 50,4Вт; Uвх: 9,2÷18ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 2,1А
Перетворювач: DC/DC; 50,4Вт; Uвх: 9,2÷18ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 2,1А

1500,89 грн

Вид корпусу:
901
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
2,1А
Вхідна напруга:
9,2...18В DC
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPDT; MP22; 5A/250ВAC; IP65
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPDT; MP22; 5A/250ВAC; IP65

1670,05 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±5%; 7,2x5x10мм
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±5%; 7,2x5x10мм

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
4мм
Допуск:
±5%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,15кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 1,15кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

50,68 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 102Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 102Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 365Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 365Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 6,8кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 6,8кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD