Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ3N150D1
126,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Опір в стані провідності: 5,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Технологія: WMOS™ D1
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 250В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 250В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0603

13,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8пФ
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 13; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 13; THT; 3A; vertical; 2.54mm

121,64 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
13
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; 1680мм; IP54; 10÷30ВDC; М8 "папа"
Світловий бар'єр безпеки; 1680мм; IP54; 10÷30ВDC; М8 "папа"

39950,63 грн

Вид виходу 1:
реле NO / NC
Висота:
1680мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP54
Недоступний
Резистор: thick film; 600мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 600мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В

1,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

3,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 11,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 11,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT