Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А

Name: Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А
Brand: WAYON
SKU: WMJ80N65F2
Price: 584.77 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: WMJ80N65F2

584,77 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

WMJ80N65F2

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

26,2нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

37мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

410Вт

Струм стока:

45А

Струм стоку в імпульсі:

245А

Технологія:

WMOS™ F2

Тип транзистора:

N-MOSFET

Час готовності:

190нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
10нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
37нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
168нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,1мкКл

Корпус:
TO3PN

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
IPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
32нКл

Корпус:
TO220F

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
130нКл

Корпус:
SOT78; TO220AB