Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO03N80M3
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO03N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: 2,5А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

134,31 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 1,2/1,8В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В

1,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 26,7Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 26,7Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,77 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 40А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 40А; 300В

2098,96 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Клас горючості:
UL94V-2
Колір корпусу:
натуральний
Матеріал контакту:
латунь; сплав міді; сталь
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

2472,13 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,267А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 31,6Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 31,6Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 12бит; 200кsps; 4,75÷5,5В; TSSOP24
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 12бит; 200кsps; 4,75÷5,5В; TSSOP24

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
pseudo-differential; single-ended
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD