Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 4А; 45Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: WMM05N80M3
20,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM05N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 2,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 4А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1

807,78 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 60÷66,3В; 6,9А; односпрямована; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 60÷66,3В; 6,9А; односпрямована; SMB; P6SMBJ

4,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
54В
Корпус:
SMB
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,1кОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові
Резистор: вуглецевий; 1,1кОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові

2,19 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,1мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 6бит; Ch: 1; 1,8÷5,5В; SC70-6; -40÷125°C
IC: перетворювач D/A; 6бит; Ch: 1; 1,8÷5,5В; SC70-6; -40÷125°C

57,02 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Вид упаковки:
ролик
Інтерфейс:
I2C
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 357кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 357кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thin film; 3,4кОм; 0402; 63мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 3,4кОм; 0402; 63мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

2,05 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
3,4кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

1,75 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD