1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML06N80M3
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML06N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: 5А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; OMNIMATE
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; OMNIMATE

65,26 грн

Alias:
CH 3.81/03/180F 3.5SN GN BX
Connector family:
роз'єм живлення
Колір корпусу:
зелений
Номінальна напруга:
0,32кВ
Транзистор: NPN / PNP; біполярний; BRT,додаткова пара; 50В; 0,1А
Транзистор: NPN / PNP; біполярний; BRT,додаткова пара; 50В; 0,1А

10,77 грн

Вид транзистора:
BRT; додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ферит: бусина; 5А; Ø3,4x4,4мм; H: 4,4мм; Ø: 3,4мм; 2Ом; сумка
Ферит: бусина; 5А; Ø3,4x4,4мм; H: 4,4мм; Ø: 3,4мм; 2Ом; сумка

10,83 грн

Виводи:
зігнуті; осьові
Вид упаковки:
сумка
Висота:
4,4мм
Діаметр:
3,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,27Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Діод: випрямний; SMD; 50В; 1А; DO214AC,SMA; Ufmax: 920мВ; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 50В; 1А; DO214AC,SMA; Ufmax: 920мВ; Ifsm: 30А

24,08 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
50В
Кількість в наборі/упаковці:
1800шт.
Резистор: thick film; 221кОм; 1,6x0,81x0,46мм
Резистор: thick film; 221кОм; 1,6x0,81x0,46мм

46,25 грн

Опір:
221кОм
Розміри корпусу:
1,6x0,81x0,46мм
Тип резистора:
thick film
Резистор: thin film; 37кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 37кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB