Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO262

Немає в наявності
Код товару: WMN10N60C2
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMN10N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 690мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57Вт
Струм стока: 8А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 16,7В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C
Діод: TVS; 30кВт; 16,7В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C

2845,92 грн

Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
16,7В
Конденсатор: керамічний; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0402

5,07 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,00 грн

Alias:
C0603C103K2REC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 01005; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 01005; 180мм

2,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Connector: wire-board; plug; male; data; PIN: 10; shrouded; 1.5mm
Connector: wire-board; plug; male; data; PIN: 10; shrouded; 1.5mm

52,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
10
Недоступний
Реактор: common mode; THT; 3А; R: 115мОм; 24x20мм; 9мГн
Реактор: common mode; THT; 3А; R: 115мОм; 24x20мм; 9мГн

140,02 грн

Індуктивність одинарної обмотки:
9мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,115Ом
Растр виводів:
24x20мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл