Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 500В; 6А; Idm: 25А; 57Вт

Немає в наявності
Код товару: WMO13N50C4
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO13N50C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,6нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,48Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 111÷123В; 3,7А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 111÷123В; 3,7А; односпрямована; SMB; SMBJ

4,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO + SPST-NC; Uупр: 5ВDC; Iупр: 50А
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO + SPST-NC; Uупр: 5ВDC; Iупр: 50А

344,65 грн

Вид упаковки:
ролик
Зовнішні розміри:
9,78x6,4x3,6мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO + SPST-NC
Корпус:
DIP8
Недоступний
Свердло; для металу; Ø: 9,5мм; L: 410мм; циліндровий; довга
Свердло; для металу; Ø: 9,5мм; L: 410мм; циліндровий; довга

3380,01 грн

Вид рукоятки:
циліндровий
Відповідність стандарту:
DIN 1869
Властивості свердел:
самоцентруючі
Діаметр свердла:
9,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,02МОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 1,02МОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: thick film; 3,65кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805
Резистор: thick film; 3,65кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 75кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 75кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Iвих: 400мА; DIP; THT; 20,32x10,16x8,2мм
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Iвих: 400мА; DIP; THT; 20,32x10,16x8,2мм

920,55 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,4А
Захист:
від короткого замикання SCP
Зовнішні розміри:
20,32x10,16x8,2мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл