Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт

Немає в наявності
Код товару: WMF08N65C4
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMF08N65C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,3нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 780мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 3,6А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
8,9мм
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; Число макровічок: 11,52к; I/O: 204; 100МГц
IC: FPGA; SMD; FBGA484; Число макровічок: 11,52к; I/O: 204; 100МГц

5508,75 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
204
Кількісь затворів:
500к
Корпус:
FBGA484
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 1кОм; SMD; 400мА; 0603; R: 500мОм; ±25%
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 1кОм; SMD; 400мА; 0603; R: 500мОм; ±25%

0,00 грн

Допуск:
±25%
Імпеданс при 100МГц:
1кОм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 270нФ; 630ВDC; 22,5мм; ±10%; ECQE; THT
Конденсатор: поліестровий; 270нФ; 630ВDC; 22,5мм; ±10%; ECQE; THT

23,06 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,27мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
22,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Недоступний
LED потужності; теплий білий; COB; 25,6Вт; 3000К; 3630lm; 120°
LED потужності; теплий білий; COB; 25,6Вт; 3000К; 3630lm; 120°

0,00 грн

Биннинг:
3SDCM
Голівка:
плоске
Колір діода LED:
теплий білий
Колірна температура:
3000К
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD