Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 700В; 6,5А; Idm: 35А; 31Вт

Немає в наявності
Код товару: WML13N70EM
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML13N70EM
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 20,3нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 390мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 6,5А
Струм стоку в імпульсі: 35А
Технологія: WMOS™ EM
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SC70-5; Iбез навант: 1мА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SC70-5; Iбез навант: 1мА

138,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
25мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 8,5А; ±10%; Ø11,5x17,5мм; Вив: 2pin
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 8,5А; ±10%; Ø11,5x17,5мм; Вив: 2pin

48,78 грн

Виводи:
2pin
Висота:
17,5мм
Діаметр:
11,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,09кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
9,09кОм
LED; червоний/блакитний; 5мм; миготлива; 30°; 3÷5ВDC; К-ть вив: 2
LED; червоний/блакитний; 5мм; миготлива; 30°; 3÷5ВDC; К-ть вив: 2

20,91 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
462,5...472,5нм; 620...630нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0402; 180мм

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: metal film; 27Ом; THT; 500мВт; ±5%; MF; 250В; Ø2,5x6,8мм
Резистор: metal film; 27Ом; THT; 500мВт; ±5%; MF; 250В; Ø2,5x6,8мм

0,46 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

813,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт

274,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC