Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; польовий; 700В; 5,4А; 42Вт; TO251

Немає в наявності
Код товару: WMP05N70MM
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP05N70MM
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 5,4А
Технологія: WMOS™ MM
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2,4МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 2,4МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

10,96 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; RK73G; 150В
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; RK73G; 150В

0,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPST; AV; 3A/250ВAC; IP67; OFF-ON
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPST; AV; 3A/250ВAC; IP67; OFF-ON

1317,79 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP