Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM6N37FU,LF(B
4,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 567
Код товару: SSM6N37FU,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Монтаж: SMD
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,25А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Ключ; насадковий,трикутний; 70мм
Ключ; насадковий,трикутний; 70мм

458,69 грн

Вид ключа:
насадковий; трикутний
Вид рукоятки:
T
Довжина:
70мм
Розмір ключа:
6мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 52; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 52; THT; straight

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
16,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; ESD; 10В; 8А; двоспрямована; DSN0603-2,SOD962-2
Діод: TVS; ESD; 10В; 8А; двоспрямована; DSN0603-2,SOD962-2

14,57 грн

Зворотна напруга макс.:
3,3В
Корпус:
DSN0603-2; SOD962-2
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; VQFN16; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; VQFN16; PIC16

52,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP; CLC; CWG; DIA; FVR; HLT; NCO; PoR; PPS; SAF; watchdog; zero cross detect
Інтерфейс:
ADC; EUSART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 17,1В; 19,9А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 17,1В; 19,9А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

983,91 грн

Зворотна напруга макс.:
13,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
17,1В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; R: 60мОм; ±20%; LBXN; 2,27А
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; R: 60мОм; ±20%; LBXN; 2,27А

8,62 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - мм:
5050
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 6А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 6А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD