Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SP8K41HZGTB
44,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 92
Код товару: SP8K41HZGTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 6,6нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 3,4А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 24В; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 0÷303мА; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 24В; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 0÷303мА; SIP4

70,96 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0...303мА
Вхідна напруга:
24В
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

0,39 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 412кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 412кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 14,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 14,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 20А; 12,7А; Igt: 32мА; TO220FP
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 20А; 12,7А; Igt: 32мА; TO220FP

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Діод: зенера; 0,83Вт; 9,1В; SMD; SOD123F; одиночний діод
Діод: зенера; 0,83Вт; 9,1В; SMD; SOD123F; одиночний діод

10,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
9,1В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
40В; 5А; DFN; Канал: збагачений; 2Вт
40В; 5А; DFN; Канал: збагачений; 2Вт

18,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 500мВт; UF6
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 500мВт; UF6

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
UF6
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В