Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 21А; Idm: 118А; 68Вт
Brand: NEXPERIA
SKU: BUK9K29-100E,115
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 21А; Idm: 118А; 68Вт

Немає в наявності

Код товару: BUK9K29-100E,115

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1500

Крок додавання: 1500

Код товару:

BUK9K29-100E,115

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

54нКл

Корпус:

LFPAK33; SOT1210

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

80мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

68Вт

Струм стока:

21А

Струм стоку в імпульсі:

118А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NQ; 75В

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±5%

Імпульсна макс. напруга:
150В

Корпус - дюйм:
0603

Недоступний

Бажані

Вимикач потужності; Iном: 100А; IP40; -25÷70°C; Стійк.до зам: 70кА

18682,87 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
70кА

Діапазон налаштування захисту:
70...100А

Кількість захищених полюсів:
3d

Клас герметичності:
IP40

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%

Імпульсна макс. напруга:
150В

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
7,5/9,6нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,6/5,7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,44нКл

Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
43нКл